Units API.

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GET /api/units/30646/?format=api
HTTP 200 OK
Allow: GET, PUT, PATCH, DELETE, HEAD, OPTIONS
Content-Type: application/json
Vary: Accept

{
    "translation": "https://translate-dev.freebsd.org/api/translations/freebsd-doc/articles_solid-state/es/?format=api",
    "source": [
        "The scope of this article will be limited to solid state disk devices made from flash memory. Flash memory is a solid state memory (no moving parts) that is non-volatile (the memory maintains data even after all power sources have been disconnected). Flash memory can withstand tremendous physical shock and is reasonably fast (the flash memory solutions covered in this article are slightly slower than a EIDE hard disk for write operations, and much faster for read operations). One very important aspect of flash memory, the ramifications of which will be discussed later in this article, is that each sector has a limited rewrite capacity. You can only write, erase, and write again to a sector of flash memory a certain number of times before the sector becomes permanently unusable. Although many flash memory products automatically map bad blocks, and although some even distribute write operations evenly throughout the unit, the fact remains that there exists a limit to the amount of writing that can be done to the device. Competitive units have between 1,000,000 and 10,000,000 writes per sector in their specification. This figure varies due to the temperature of the environment."
    ],
    "previous_source": "",
    "target": [
        "El alcance de este artículo se limitará a dispositivos de estado sólido basados en memoria flash. La memoria flash es una memoria de estado sólido (sin partes móviles) que no es volátil (la memoria mantiene los datos incluso después de que se hayan desconectado todas las fuentes de alimentación). La memoria flash puede soportar un enorme impacto físico y es bastante rápida (las soluciones de memoria flash que se tratan en este artículo son un poco más lentas que un disco duro EIDE en operaciones de escritura y mucho más rápidos en operaciones de lectura). Un aspecto muy importante de la memoria flash, cuyas repercusiones se tratarán más adelante, es que cada sector tiene una capacidad de reescritura limitada. Solo puede escribir, borrar y volver a escribir en un sector de la memoria flash varias veces antes de que quede permanentemente inutilizable. Aunque muchos productos de memoria flash mapean automáticamente los bloques defectuosos y algunos incluso distribuyen las operaciones de escritura de manera uniforme en toda la unidad, la verdad es que hay un límite en la cantidad de escrituras que se pueden hacer al dispositivo. Las unidades más competitivas tienen entre 1.000.000 y 10.000.000 millones de escrituras por sector en sus especificaciones. Esta cifra varía debido a la temperatura del ambiente."
    ],
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